Marca | SAMSUNG |
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Série | 9100 PRO |
Modelo | MZ-VAP2T0B/AM |
Tipo de dispositivo | Unidade de estado sólido interna (SSD) |
Usado para | Consumidor |
Fator de forma | M.2 2280 |
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Capacidade | 2 TB |
Componentes de memória | Samsung V NAND TLC (V8) |
Interface | PCI-Express 5.0 x4 |
Protocolo | NVMe 2.0 |
Controlador | Controlador Interno |
Esconderijo | 2 GB LPDDR4X |
Criptografia | Classe 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) |
Leitura sequencial máxima | Até 14700 MBps |
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Escrita sequencial máxima | Até 13400 MBps |
Leitura aleatória de 4 KB | Até 1.850.000 IOPS |
Gravação aleatória de 4 KB | Até 2.600.000 IOPS |
Terabytes Escritos (TBW) | 1200 TB |
Dissipador de calor | sem dissipador de calor |
Consumo de energia (inativo) | 4,0 mW de suspensão do dispositivo (L1.2) |
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Consumo de energia (ativo) | 8,1 W / 7,9 W (leitura/gravação) |
Altura | 2,38 mm |
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Largura | 22,15 mm |
Profundidade | 80,15 mm |
Peso | 9g |
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