| Marca | SAMSUNG |
|---|---|
| Série | 9100 PRO |
| Modelo | MZ-VAP2T0B/AM |
| Tipo de dispositivo | Unidade de estado sólido interna (SSD) |
| Usado para | Consumidor |
| Fator de forma | M.2 2280 |
|---|---|
| Capacidade | 2 TB |
| Componentes de memória | Samsung V NAND TLC (V8) |
| Interface | PCI-Express 5.0 x4 |
| Protocolo | NVMe 2.0 |
| Controlador | Controlador Interno |
| Esconderijo | 2 GB LPDDR4X |
| Criptografia | Classe 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) |
| Leitura sequencial máxima | Até 14700 MBps |
|---|---|
| Escrita sequencial máxima | Até 13400 MBps |
| Leitura aleatória de 4 KB | Até 1.850.000 IOPS |
| Gravação aleatória de 4 KB | Até 2.600.000 IOPS |
| Terabytes Escritos (TBW) | 1200 TB |
| Dissipador de calor | sem dissipador de calor |
| Consumo de energia (inativo) | 4,0 mW de suspensão do dispositivo (L1.2) |
|---|---|
| Consumo de energia (ativo) | 8,1 W / 7,9 W (leitura/gravação) |
| Altura | 2,38 mm |
|---|---|
| Largura | 22,15 mm |
| Profundidade | 80,15 mm |
| Peso | 9g |
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